2017/01/05 10:12:33

来源：中国洗协

作者：中国洗涤用品工业协会

收藏本文

2 1 3 4

专利申请号：CN200580011849.8    公开号：CN101098954

申请日：2005.04.12                公开日：2008.01.02

申请人：美国高级技术材料公司

    本发明所述为从具有离子注入光致抗蚀剂的半导体基片去除此类光致抗蚀剂的方法和组合物。该去除组合物含有供去除离子注入光致抗蚀剂所用的超临界CO₂(SCCO₂)、共溶剂和还原剂。此类去除组合物克服了SCCO₂作为去除试剂的固有缺陷，即SCCO₂的非极性特性和与之相关的对存在于光致抗蚀剂中的、为有效清洗必须从半导体基片除去的物质不具有溶解能力，所述物质例如无机盐和极性有机化合物。